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TiW Etch 200 - 5.00 l

TiW etch 200 is applied as etchant for titanium and for the wet-chemical patterning of TiW layers.

Produktinformationen "TiW Etch 200 - 5.00 l"

TiW etch 200

Titan-Wolfram Ätzmittel

Allgemeine Informationen

TiW etch 200 wird als Ätzmittel für Titan verwendet - für die nasschemische Strukturierung von TiW-Schichten mit Selektivität für Metalle wie Au, Pt, Ni, Cr. Übliche Anwendungen finden sich im Bereich der Halbleiter- oder Mikrosystemtechnik zum Ätzen von Haftschichten oder Diffusionsbarrieren.

Produkteigenschaften
  • Geringe Unterätzung (im Bereich der Schichtdicke), minimale Strukturgröße < 1µm
  • Selektivität für viele Materialien, z. B. gängige Metalle, die in der Galvanikindustrie verwendet werden
  • Kompatibel mit Resist masking
Selektivität

TiW etch 200 ist kompatibel/selektiv für folgende Materialien:

  • Resists: gängige Novolak als Maskierungsmittel Resist (z.B. AZ® Photoresist)
  • Metalle: kein Angriff auf Au, Pt, Ni, Cr
  • Metalle: greift TiW, Cu an
  • Halbleitermaterialien: Si, SiO2, Si3N4

Die Angaben zur Selektivität und Verträglichkeit sind Herstellerangaben und erheben keinen Anspruch auf Vollständigkeit. Bitte kontaktiere uns für weitere Details.

Ätzrate

Unter normalen Bedingungen liegt die Ätzrate bei etwa 5 nm/min (bei Raumtemperatur). Die gemischte Ätzlösung ist über einen längeren Zeitraum stabil und kann je nach Anwendungsbedarf mehrfach verwendet werden. Es wird empfohlen, die Lösung spätestens dann zu entsorgen, wenn sich die Ätzrate um 20% verändert hat.

Weitere Informationen

MSDS:
Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE
Sicherheitsdatenblatt TiW etch 200 DE

TDS:
Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE
Technisches Datenblatt TiW etch 200 DE

Anwendungshinweise:
Nasses Ätzen
Nasschemisches Ätzen
Nasses Ätzen von Metallen
Nasschemisches Ätzen von Metallen

Weitere Informationen zur Verarbeitung

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